http://v.michm.ru/index.php?action=history&feed=atom&title=%D0%A5%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D1%8F 2026-05-01T06:38:57Z История изменений этой страницы в вики MediaWiki 1.19.23 http://v.michm.ru/index.php?title=%D0%A5%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D1%8F&diff=6891&oldid=prev 2016-01-21T16:09:25Z

<p></p> <table class='diff diff-contentalign-left'> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 16:09, 21 января 2016</td> </tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 15:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 15:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[http://www.techeducator.ru/dexius-931-1.html заголовок ссылки]</div></td><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[http://www.techeducator.ru/dexius-931-1.html заголовок ссылки]</div></td></tr> <tr><td colspan="2">&#160;</td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins style="color: red; font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr> <tr><td colspan="2">&#160;</td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins style="color: red; font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr> <tr><td colspan="2">&#160;</td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins style="color: red; font-weight: bold; text-decoration: none;">[http://www.techeducator.ru/dexius-934-1.html заголовок ссылки]</ins></div></td></tr> <!-- diff cache key wiki:diff:version:1.11a:oldid:6890:newid:6891 --> </table>

Dz http://v.michm.ru/index.php?title=%D0%A5%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D1%8F&diff=6890&oldid=prev 2016-01-21T16:08:48Z

<p></p> <table class='diff diff-contentalign-left'> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 16:08, 21 января 2016</td> </tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 11:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 11:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Поставленная задача решается в способе формирования слоев поликристаллического кремния, включающем загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, подачу моносилана, осаждение слоя поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, подачу в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора, отличающемся тем, что подачу моносилана в реактор осуществляют при температуре роста слоя аморфного кремния, осаждают слой аморфного кремния, а затем, не прекращая подачи моносилана, температуру повышают до температуры роста слоя поликристаллического кремния и осаждение последнего осуществляют до заданной толщины. При этом осаждение слоя аморфного кремния осуществляют при 550oСТ570oС, а осаждение слоя поликристаллического кремния осуществляют при 610oСТ640oС.</div></td><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Поставленная задача решается в способе формирования слоев поликристаллического кремния, включающем загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, подачу моносилана, осаждение слоя поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, подачу в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора, отличающемся тем, что подачу моносилана в реактор осуществляют при температуре роста слоя аморфного кремния, осаждают слой аморфного кремния, а затем, не прекращая подачи моносилана, температуру повышают до температуры роста слоя поликристаллического кремния и осаждение последнего осуществляют до заданной толщины. При этом осаждение слоя аморфного кремния осуществляют при 550oСТ570oС, а осаждение слоя поликристаллического кремния осуществляют при 610oСТ640oС.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td colspan="2">&#160;</td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins style="color: red; font-weight: bold; text-decoration: none;">[http://www.techeducator.ru/dexiu-930.html заголовок ссылки]</ins></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'>&#160;</td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>http://www.<del class="diffchange diffchange-inline">findpatent</del>.ru/<del class="diffchange diffchange-inline">patent/219/2191847</del>.html</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins class="diffchange diffchange-inline">[</ins>http://www.<ins class="diffchange diffchange-inline">techeducator</ins>.ru/<ins class="diffchange diffchange-inline">dexius-931-1</ins>.html <ins class="diffchange diffchange-inline">заголовок ссылки]</ins></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div><del class="diffchange diffchange-inline">© FindPatent.ru - патентный поиск, 2012-2016</del></div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div></div></td></tr> <!-- diff cache key wiki:diff:version:1.11a:oldid:6889:newid:6890 --> </table>

Dz http://v.michm.ru/index.php?title=%D0%A5%D0%B8%D0%BC%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B5_%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D1%8F&diff=6889&oldid=prev 2016-01-21T16:07:40Z

<p>Новая страница: «[http://entersait.ru/osnovyosnov/polewye-tranzist.html МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ)] [http://www.findpatent.ru/patent/21…»</p> <p><b>Новая страница</b></p><div>[http://entersait.ru/osnovyosnov/polewye-tranzist.html МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ)]<br /> <br /> [http://www.findpatent.ru/patent/219/2191847.html Патент]<br /> <br /> Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ получения слоев поликристаллического кремния (Pat. USA 3900597, С 23 С 11/00, 1975. System and process for deposition of polycrystalline silicon with silane in vacuum) [4], включающий загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, подачу моносилана, осаждение слоя поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин.<br /> <br /> К недостаткам прототипа относятся: - повышенная шероховатость слоев поликристаллического кремния 5-20 нм, затрудняющая хемофотографию данных слоев; - наличие на пластине потенциальных энергетических ям приводит к появлению в слоях &quot;выростов&quot; размером по высоте до 300-800 нм, что делает слои непрозрачными, и невоспроизводимости их травления; - неоднородность сопротивления слоев поликристаллического кремния по зоне осаждения при последующем легировании, особенно малыми дозами.<br /> <br /> Задачей настоящего изобретения является получение технического результата, заключающегося в улучшении однородности свойств слоев поликристаллического кремния (СПК), в частности в уменьшении неоднородности сопротивления, в уменьшении шероховатости СПК и отсутствии &quot;выростов&quot;.<br /> <br /> Поставленная задача решается в способе формирования слоев поликристаллического кремния, включающем загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, подачу моносилана, осаждение слоя поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, подачу в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора, отличающемся тем, что подачу моносилана в реактор осуществляют при температуре роста слоя аморфного кремния, осаждают слой аморфного кремния, а затем, не прекращая подачи моносилана, температуру повышают до температуры роста слоя поликристаллического кремния и осаждение последнего осуществляют до заданной толщины. При этом осаждение слоя аморфного кремния осуществляют при 550oСТ570oС, а осаждение слоя поликристаллического кремния осуществляют при 610oСТ640oС.<br /> <br /> <br /> <br /> http://www.findpatent.ru/patent/219/2191847.html<br /> © FindPatent.ru - патентный поиск, 2012-2016</div>

Dz