Никифоров Александр

Текущая версия на 02:15, 9 апреля 2015

[править] Mitsubishi Electric разрабатывает лазерный диод с распределенной обратной связью.

Новый диод позволяет снизить расход электроэнергии, увеличить производительность и существенно упростить схему приемопередатчиков волоконно-оптической связи. Mitsubishi Electric объявила о разработке диода для волоконно-оптических систем, скорость которых составляет 100 Гбит/с, работа диода основана на распределенной обратной связи. Его скорость 25 Гбит/с, а диапазон рабочих температур — от -20 до 85 градусов Цельсия. Четыре таких диода позволят обеспечить работу сети со скоростью 100 Гбит/с и существенно снизить затраты, а так же повысить эффективность работы центров обработки данных.

Mitsubishi Electric представила новинку на выставке OFC 2015, которая проходила в Лос-Анджелесе, штат Калифорния, с 22 по 26 марта 2015 г. Характеристики диода представленные на этой конференции, уникальны.

1) Высокая Эффективность и производительность:

  -Новая структура блокировки тока обеспечивает малую емкость для эффективного ввода тока без снижения скорости обратной связи.
  -Эффективность ввода тока в активной области повышена на 12%
  -При температуре 85oC выходная мощность составляет более 10 мВт, что в свою очередь отбрасывает необходимость в охлаждении, тем самым снижая
   затраты электроэнергии.
  -Четыре светодиода входящих в состав состав оптического узла передатчика (TOSA) для систем связи со скоростью 100 Гбит/с, компенсируют потери
   мультиплексора внутри оптического узла передатчика за счет высокой выходной мощности.

2) Способность работы в широком диапазоне температур и высококачественная модуляция сигнала упрощает конструкцию систем связи.

  -Светодиод обеспечивает высококачественный сигнал модуляции с пороговым значением маски более 20%, что обеспечивается структурой блокировки
   тока с малой емкостью и лазером малой длины.
  -Высококачественная модуляция упрощает конструкцию управляющей схемы лазера

Mitsubishi Electric давно стремились создать DFB-лазер с коротким временем реакции работающий на скорости 25 Гбит/с, но раньше считалось что для блокировки тока наиболее перспективны PIN-структуры, обладающие высоким электрическим сопротивлением благодаря легирующим добавкам, однако она не позволяет получить высокую выходную мощность сигнала из-за низкой эффективности ввода тока в активную зону, но компания смогла разработать новую PIN-структуру блокировки тока и решить данную проблему.

Статья взята с https://vk.com/big_asu?w=wall-34039206_21383